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On the Electronic Structure of 2H-MoS2: Correlating DFT Calculations and In-Situ Mechanical Bending on TEM.
Ramos, Manuel; López-Galán, Oscar A; Polanco, Javier; José-Yacamán, Miguel.
Afiliação
  • Ramos M; Departamento de Física y Matemáticas, Instituto de Ingeniería y Tecnología, Universidad Autónoma de Ciudad Juárez, Edificio G-301A, 450 Avenida del Charro, Ciudad Juárez 32310, Chihuahua, Mexico.
  • López-Galán OA; Departamento de Física y Matemáticas, Instituto de Ingeniería y Tecnología, Universidad Autónoma de Ciudad Juárez, Edificio G-301A, 450 Avenida del Charro, Ciudad Juárez 32310, Chihuahua, Mexico.
  • Polanco J; Departamento de Física y Matemáticas, Instituto de Ingeniería y Tecnología, Universidad Autónoma de Ciudad Juárez, Edificio G-301A, 450 Avenida del Charro, Ciudad Juárez 32310, Chihuahua, Mexico.
  • José-Yacamán M; Applied Physics and Materials Science Department and Center for Material Interfaces Research and Applications (MIRA), Northern Arizona University, Flagstaff, AZ 86011, USA.
Materials (Basel) ; 15(19)2022 Sep 28.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-36234076
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Materials (Basel) Ano de publicação: 2022 Tipo de documento: Article País de afiliação: México País de publicação: Suíça
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